到目前为止平面抛光机的抛光是唯一可实现单晶硅片全局平面化的技术设备,采用该方法可使整个硅片获得超光滑和无损伤的表面。其中,抛光液的质量是影响CMP效果的一个关键因素。目前,硅片CMP普遍使用粒径为50~70 nm的球形SiO2为磨粒。作为一种高效抛光粉,纳米CeO2已广泛应用于超大规模集成电路SiO2介质层和隔离沟槽的化学机械抛光,具有高抛光效率和高表面质量等优点。有研究表明,将球型纳米CeO2用于单晶硅片的化学机械抛光时,其抛光效率比球形SiO2高。

不过,平面抛光机纳米CeO2抛光硅片的研究还处在初始阶段,抛光液制备技术及相关抛光机理有待进一步完善。我国稀土铈资源居世界首位,如能开发出适于硅片抛光的纳米CeO2抛光液,将会促进硅片超精密加工技术的发展,社会经济效益可观。由此可见稀土抛光粉在单晶硅片的抛光过程中有着重要的作用，对单晶硅片的平面抛光机市场也有着相当大的影响。单晶硅片的平面抛光机技术在行业内的应用前景非常大，发展还有很大空间。