为使工件表面均匀抛光，抛光运动轨迹应能保证工件表面和抛光垫表面上各点经历相同或相近的工作条件。现有的行星式双面抛光机中，行星运动不能严格地保证工件表面上各点的抛光运动速度绝对相等，也不能保证抛光过程中运动速度恒定不变.为改进抛光运动状态，本文在对当前国内外硅晶片所用双面抛光机的运动情况分析研究的纂础上，提出了新型双面抛光机的设计方案，该运动方式的抛光机可以保证抛光运动的同一性要求，且使抛光方向循环渐变，从而获得更高的表面加工质量。

随着超大规模集成电路要求的不断提高.作为集成电路的主要摹片材料硅晶片的加工精度要求也越来越高，如何高效地获得硅.昆片超平滑无损伤表面已成为超精密双面抛光加工技术的研究热点.超精密双面抛光精度及效率与很多因素有着直接关系，但抛光机的运动方式及其运动轨迹对加工精度起着决定性的作用。

常用双面抛光机的运动方式分析
目前国内外常用载体作行星运动的硅片双面抛光方式如图1所示，上下抛光盘旋转为主运动，硅片由载体(即行星轮)带动作即自转又公转的行星运动为进给运动.根据研究资料显示，行星运动轨迹呈外摆线或内摆线，工件能较好地走遍整个抛光盘表面，但这种运动方式存在以下缺点.

1)由于每个载体都是绕自己的轴线回转，载体内外缘的圆周速度不同，这使载体内外缘的工件不能被均匀的抛光，同时载体通孔内的工件也是回转的，工件内外缘的圆周速度也不同，即工件表面上各点的抛光运动速度不等.这使同一工件内外缘也不能被均匀地抛光。

2)内外缘形成不同的相对抛光速度会引起抛光盘的伞状变形，为加工过程中行星轮转向与表面变形的关系。如果行星轮转向与抛光盘相同(顺向模式)，晶片上表面与上抛光盘外缘相对较低，而与下抛光盘的相对速度较大，因此上抛光垫表面材料去除较少，下抛光垫表而材料去除较多，形成中心凸起的“顺向模式”的表面磨损变形，相反则形成“逆向模式”的表面磨损变形。

3)由于载体的齿轮是与中心轮及齿圈相啮合，在其间形成的磨损屑不仅会沽在载体上而且也会沽在抛光晶片上，这些都直接影响双面抛光晶片的平面度和表面粗糙度。